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SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究

尚也淳 张义门 张玉明

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SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究

尚也淳, 张义门, 张玉明

MONTE CARLO STUDY ON INTERFACE ROUGHNESS DEPENDENCE OF ELECTRON MOBILITY IN 6H-SiC INVERSION LAYERS

SHANG YE-CHUN, ZHANG YI-MEN, ZHANG YU-MING
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-04-10
  • 修回日期:  2001-02-19
  • 刊出日期:  2001-07-20

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