变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究
物理学报
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物理学报  2003, Vol. 52 Issue (11): 2879-2882
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究
崔利杰1, 曾一平1, 朱战平1, 王保强1, 仇志军2, 蒋春萍2, 桂永胜2, 疏小舟2, 郭少令2, 褚君浩2
(1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083
Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents
Cui Li-Jie1, Zeng Yi-Ping1, Zhu Zhan-Ping1, Wang Bao-Qiang1, Qiu Zhi-Jun2, Jiang Chun-Ping2, Gui Yong-Sheng2, Shu Xiao-Zhou2, Guo Shao-Ling2, Chu Jun-Hao2
(1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083

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