界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响
物理学报
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物理学报  2003, Vol. 52 Issue (4): 830-833
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界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响
汤晓燕, 张义门, 张玉明, 郜锦侠
西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
Study of the effect of interface state charges on field-effect mobility of n-channel 6H-SiC MOSFET
Tang Xiao-Yan, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Gao Jin-Xia
西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

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