1-xPx] alloys for x=0.2, 0.5, and 0.8. The direct and indirect energy gap is equal at x=0.41 which is in reasonable agreement with the results of Spitzer and Fenner."/>     用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As<sub>1-x</sub>P<sub>x</sub>]合金)
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  1965, Vol. 21 Issue (6): 1162-1169
目录 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)
张幼文, 郁启华
中国科学院
THE CALCULATION OF THE ENERGY-BAND STRUCTURE OF SOME SEMICONDUCTORS WITH THE PSEUDOPOTENTIAL PERTURBATION METHOD (APPLICATION TO GaAs, GaP AND Ga[As1-xPx]ALLOY)
CHANG YU-WON, YU QI-HUA
中国科学院

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn