电子束蒸发制备HfO<sub>2</sub>高k薄膜的结构特性
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物理学报  2004, Vol. 53 Issue (8): 2771-2774
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
电子束蒸发制备HfO2高k薄膜的结构特性
徐 闰1, 蒋最敏1, 阎志军2, 王印月2
(1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433; (2)兰州大学物理系,兰州 730000
Structural characteristics of HfO2 films grown by e-beam evaporation
Xu Run1, Jiang Zui-Min1, Yan Zhi-Jun2, Wang Yin-Yue2
(1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433; (2)兰州大学物理系,兰州 730000

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