射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
物理学报
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物理学报  2004, Vol. 53 Issue (8): 2780-2785
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射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
林洪峰, 谢二庆, 马紫微, 张 军, 彭爱华, 贺德衍
兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method
Lin Hong-Feng, Xie Er-Qing, Ma Zi-Wei, Zhang Jun, Peng Ai-Hua, He De-Yan
兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000

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