物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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本刊包含 PACS 号为 "71.23.An" 的文章:
157102 楼浩然, 叶志镇, 何海平
  铅卤钙钛矿的光稳定性研究进展
    物理学报   2019 Vol.68 (15): 157102-157102 [摘要] (317) [HTML 1 KB] [PDF 1734 KB] (282)
120301 卢曼昕, 邓文基
  一维二元复式晶格的拓扑不变量与边缘态
    物理学报   2019 Vol.68 (12): 120301-120301 [摘要] (164) [HTML 1 KB] [PDF 7716 KB] (142)
106701 张翱, 陈云琳, 闫君, 张春秀
  有机阳离子对卤素钙钛矿太阳能电池性能的影响
    物理学报   2018 Vol.67 (10): 106701-106701 [摘要] (320) [HTML 1 KB] [PDF 3178 KB] (468)
237102 王军, 王林, 王丹丹
  40 nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模
    物理学报   2016 Vol.65 (23): 237102-237102 [摘要] (405) [HTML 1 KB] [PDF 480 KB] (258)
87303 强蕾,姚若河
  非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布
    物理学报   2012 Vol.61 (8): 87303-087303 [摘要] (2094) [HTML 1 KB] [PDF 275 KB] (948)
97201 李海宏, 刘文, 刘德胜
  理论计算中电势能零点的选取对电荷注入的影响
    物理学报   2011 Vol.60 (9): 97201-097201 [摘要] (3092) [HTML 0 KB] [PDF 1210 KB] (741)
77106 王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌
  亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型
    物理学报   2011 Vol.60 (7): 77106-077106 [摘要] (3609) [HTML 0 KB] [PDF 1649 KB] (701)
27102 王晓艳, 张鹤鸣, 王冠宇, 宋建军, 秦珊珊, 屈江涛
  漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响
    物理学报   2011 Vol.60 (2): 27102-027102 [摘要] (4993) [HTML 0 KB] [PDF 846 KB] (950)
8184 郭立强, 丁建宁, 杨继昌, 王书博, 叶枫, 程广贵, 凌智勇, 范慧娟, 袁宁一, 王秀琴
  氢化硅薄膜光吸收近似特性研究
    物理学报   2010 Vol.59 (11): 8184-8190 [摘要] (3781) [HTML 0 KB] [PDF 880 KB] (1158)
7320 黎欢, 郭卫
  自旋极化对Kondo系统基态的影响
    物理学报   2010 Vol.59 (10): 7320-7326 [摘要] (2779) [HTML 0 KB] [PDF 732 KB] (599)
17101 周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇
  应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型
    物理学报   2014 Vol.63 (1): 17101-017101 [摘要] (616) [HTML 1 KB] [PDF 317 KB] (383)
17105 曹磊, 刘红侠, 王冠宇
  异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究
    物理学报   2012 Vol.61 (1): 17105-017105 [摘要] (1162) [HTML 1 KB] [PDF 3448 KB] (426)
57103 王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 舒斌, 周春宇, 李妤晨, 吕懿
  应变Si NMOS积累区电容特性研究
    物理学报   2013 Vol.62 (5): 57103-057103 [摘要] (886) [HTML 1 KB] [PDF 260 KB] (726)
57303 何龙, 宋筠
  双层石墨烯材料中无序导致超导-绝缘体相变的数值研究
    物理学报   2013 Vol.62 (5): 57303-057303 [摘要] (1018) [HTML 1 KB] [PDF 1000 KB] (1169)
77103 周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇
  应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型
    物理学报   2013 Vol.62 (7): 77103-077103 [摘要] (776) [HTML 1 KB] [PDF 2094 KB] (1060)
97101 覃婷, 黄生祥, 廖聪维, 于天宝, 邓联文
  同步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管电势模型研究
    物理学报   2017 Vol.66 (9): 97101-097101 [摘要] (296) [HTML 1 KB] [PDF 397 KB] (275)
117101 刘通, 高先龙
  具有p波超流的一维非公度晶格中迁移率边研究
    物理学报   2016 Vol.65 (11): 117101-117101 [摘要] (374) [HTML 1 KB] [PDF 602 KB] (129)
127102 王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 宋建军, 周春宇, 李妤晨
  应变SiGe p 型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究
    物理学报   2013 Vol.62 (12): 127102-127102 [摘要] (598) [HTML 1 KB] [PDF 1826 KB] (409)
137101 徐飘荣, 强蕾, 姚若河
  一个非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法
    物理学报   2015 Vol.64 (13): 137101-137101 [摘要] (385) [HTML 1 KB] [PDF 339 KB] (461)
237103 周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 李妤晨
  应变Si NMOSFET漏电流解析模型
    物理学报   2013 Vol.62 (23): 237103-237103 [摘要] (763) [HTML 1 KB] [PDF 1851 KB] (539)
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