物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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本刊包含 PACS 号为 "71.70.Fk" 的文章:
187102 王天会, 李昂, 韩柏
  石墨炔/石墨烯异质结纳米共振隧穿晶体管第一原理研究
    物理学报   2019 Vol.68 (18): 187102-187102 [摘要] (81) [HTML 1 KB] [PDF 1075 KB] (50)
217101 池明赫, 赵磊
  石墨烯纳米片磁有序和自旋逻辑器件第一原理研究
    物理学报   2018 Vol.67 (21): 217101-217101 [摘要] (208) [HTML 1 KB] [PDF 3917 KB] (85)
187102 张淑亭, 孙志, 赵磊
  石墨烯纳米片大自旋特性第一性原理研究
    物理学报   2018 Vol.67 (18): 187102-187102 [摘要] (225) [HTML 1 KB] [PDF 3096 KB] (142)
27101 底琳佳, 戴显英, 宋建军, 苗东铭, 赵天龙, 吴淑静, 郝跃
  基于锡组分和双轴张应力调控的临界带隙应变Ge1-xSnx能带特性与迁移率计算
    物理学报   2018 Vol.67 (2): 27101-027101 [摘要] (289) [HTML 1 KB] [PDF 1044 KB] (193)
137104 戴显英, 杨程, 宋建军, 张鹤鸣, 郝跃, 郑若川
  应变Ge/Si1-xGex 价带色散模型
    物理学报   2012 Vol.61 (13): 137104-137104 [摘要] (1537) [HTML 1 KB] [PDF 484 KB] (542)
117103 孙伟峰, 郑晓霞
  (InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线第一原理研究
    物理学报   2012 Vol.61 (11): 117103-117103 [摘要] (1963) [HTML 1 KB] [PDF 5314 KB] (633)
87101 马建立, 张鹤鸣, 宋建军, 王晓艳, 王冠宇, 徐小波
  单轴〈111〉应力硅价带结构计算
    物理学报   2011 Vol.60 (8): 87101-087101 [摘要] (1451) [HTML 0 KB] [PDF 2269 KB] (732)
77106 王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌
  亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型
    物理学报   2011 Vol.60 (7): 77106-077106 [摘要] (3609) [HTML 0 KB] [PDF 1649 KB] (701)
27101 马建立, 张鹤鸣, 宋建军, 王冠宇, 王晓艳
  (001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构
    物理学报   2011 Vol.60 (2): 27101-027101 [摘要] (4157) [HTML 0 KB] [PDF 762 KB] (944)
27102 王晓艳, 张鹤鸣, 王冠宇, 宋建军, 秦珊珊, 屈江涛
  漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响
    物理学报   2011 Vol.60 (2): 27102-027102 [摘要] (4993) [HTML 0 KB] [PDF 846 KB] (950)
6545 赵丽霞, 张鹤鸣, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜
  应变Si电子电导有效质量模型
    物理学报   2010 Vol.59 (9): 6545-6548 [摘要] (4764) [HTML 0 KB] [PDF 633 KB] (1051)
17101 周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇
  应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型
    物理学报   2014 Vol.63 (1): 17101-017101 [摘要] (616) [HTML 1 KB] [PDF 317 KB] (383)
17105 曹磊, 刘红侠, 王冠宇
  异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究
    物理学报   2012 Vol.61 (1): 17105-017105 [摘要] (1162) [HTML 1 KB] [PDF 3448 KB] (426)
57103 王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 舒斌, 周春宇, 李妤晨, 吕懿
  应变Si NMOS积累区电容特性研究
    物理学报   2013 Vol.62 (5): 57103-057103 [摘要] (886) [HTML 1 KB] [PDF 260 KB] (726)
67305 吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇
  单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型
    物理学报   2015 Vol.64 (6): 67305-067305 [摘要] (376) [HTML 1 KB] [PDF 386 KB] (169)
77103 周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇
  应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型
    物理学报   2013 Vol.62 (7): 77103-077103 [摘要] (776) [HTML 1 KB] [PDF 2094 KB] (1060)
127102 王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 宋建军, 周春宇, 李妤晨
  应变SiGe p 型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究
    物理学报   2013 Vol.62 (12): 127102-127102 [摘要] (598) [HTML 1 KB] [PDF 1826 KB] (409)
177802 邱康生, 赵彦辉, 刘相波, 冯宝华, 许秀来
  弯曲氧化锌微米线微腔中的回音壁模
    物理学报   2014 Vol.63 (17): 177802-177802 [摘要] (740) [HTML 1 KB] [PDF 772 KB] (707)
197103 吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇
  单轴应变SiNMOSFET热载流子栅电流模型
    物理学报   2014 Vol.63 (19): 197103-197103 [摘要] (438) [HTML 1 KB] [PDF 330 KB] (371)
197301 吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇
  单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型
    物理学报   2015 Vol.64 (19): 197301-197301 [摘要] (545) [HTML 1 KB] [PDF 328 KB] (131)
237103 周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 李妤晨
  应变Si NMOSFET漏电流解析模型
    物理学报   2013 Vol.62 (23): 237103-237103 [摘要] (763) [HTML 1 KB] [PDF 1851 KB] (539)
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