物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Cg" 的文章:
158401 王言博, 崔丹钰, 张才益, 韩礼元, 杨旭东
  钙钛矿太阳能电池研究进展: 空间电势与光电转换机制
    物理学报   2019 Vol.68 (15): 158401-158401 [摘要] (228) [HTML 1 KB] [PDF 3060 KB] (170)
217301 蒲晓庆, 吴静, 郭强, 蔡建臻
  石墨烯与金属的欧姆接触理论研究
    物理学报   2018 Vol.67 (21): 217301-217301 [摘要] (372) [HTML 1 KB] [PDF 693 KB] (147)
218502 卢琪, 吕宏鸣, 伍晓明, 吴华强, 钱鹤
  石墨烯射频器件研究进展
    物理学报   2017 Vol.66 (21): 218502-218502 [摘要] (360) [HTML 1 KB] [PDF 660 KB] (530)
218503 李卫胜, 周健, 王瀚宸, 汪树贤, 于志浩, 黎松林, 施毅, 王欣然
  二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件
    物理学报   2017 Vol.66 (21): 218503-218503 [摘要] (954) [HTML 1 KB] [PDF 3056 KB] (1162)
127304 聂国政, 彭俊彪, 周仁龙
  CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管
    物理学报   2011 Vol.60 (12): 127304-127304 [摘要] (1876) [HTML 0 KB] [PDF 1242 KB] (730)
98108 潘书万, 亓东峰, 陈松岩, 李成, 黄巍, 赖虹凯
  Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用
    物理学报   2011 Vol.60 (9): 98108-098108 [摘要] (3872) [HTML 0 KB] [PDF 2209 KB] (755)
78503 王光绪, 陶喜霞, 熊传兵, 刘军林, 封飞飞, 张萌, 江风益
  牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究
    物理学报   2011 Vol.60 (7): 78503-078503 [摘要] (3632) [HTML 0 KB] [PDF 1336 KB] (637)
57303 孙鹏, 胡明, 刘博, 孙凤云, 许路加
  金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性
    物理学报   2011 Vol.60 (5): 57303-057303 [摘要] (3965) [HTML 0 KB] [PDF 1463 KB] (826)
8125 孙钦军, 徐征, 赵谡玲, 张福俊, 高利岩, 田雪雁, 王永生
  有机薄膜晶体管中接触效应的研究
    物理学报   2010 Vol.59 (11): 8125-8130 [摘要] (3535) [HTML 0 KB] [PDF 1063 KB] (1200)
5706 封飞飞, 刘军林, 邱冲, 王光绪, 江风益
  硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究
    物理学报   2010 Vol.59 (8): 5706-5709 [摘要] (4936) [HTML 0 KB] [PDF 629 KB] (1189)
38501 徐华, 兰林锋, 李民, 罗东向, 肖鹏, 林振国, 宁洪龙, 彭俊彪
  源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响
    物理学报   2014 Vol.63 (3): 38501-038501 [摘要] (676) [HTML 1 KB] [PDF 418 KB] (506)
47203 吴晓鹏, 杨银堂, 高海霞, 董刚, 柴常春
  基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究
    物理学报   2013 Vol.62 (4): 47203-047203 [摘要] (1027) [HTML 1 KB] [PDF 564 KB] (997)
47801 封波, 邓彪, 刘乐功, 李增成, 冯美鑫, 赵汉民, 孙钱
  等离子体表面处理对硅衬底GaN基蓝光发光二极管内置n型欧姆接触的影响
    物理学报   2017 Vol.66 (4): 47801-047801 [摘要] (430) [HTML 1 KB] [PDF 1100 KB] (235)
67202 陈然, 周立伟, 王建云, 陈长军, 邵兴隆, 蒋浩, 张楷亮, 吕联荣, 赵金石
  基于Cu/SiOx/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究
    物理学报   2014 Vol.63 (6): 67202-067202 [摘要] (540) [HTML 1 KB] [PDF 4463 KB] (985)
67303 卢吴越, 张永平, 陈之战, 程越, 谈嘉慧, 石旺舟
  不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响
    物理学报   2015 Vol.64 (6): 67303-067303 [摘要] (449) [HTML 1 KB] [PDF 629 KB] (452)
126103 宁洪龙, 胡诗犇, 朱峰, 姚日晖, 徐苗, 邹建华, 陶洪, 徐瑞霞, 徐华, 王磊, 兰林锋, 彭俊彪
  铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善
    物理学报   2015 Vol.64 (12): 126103-126103 [摘要] (681) [HTML 1 KB] [PDF 487 KB] (252)
167304 严光明, 李成, 汤梦饶, 黄诗浩, 王尘, 卢卫芳, 黄巍, 赖虹凯, 陈松岩
  金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析
    物理学报   2013 Vol.62 (16): 167304-167304 [摘要] (1182) [HTML 1 KB] [PDF 659 KB] (1046)
186105 吴政, 王尘, 严光明, 刘冠洲, 李成, 黄巍, 赖虹凯, 陈松岩
  采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能
    物理学报   2012 Vol.61 (18): 186105-186105 [摘要] (1364) [HTML 1 KB] [PDF 633 KB] (637)
207301 杜园园, 张春雷, 曹学蕾
  基于4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线探测器
    物理学报   2016 Vol.65 (20): 207301-207301 [摘要] (369) [HTML 1 KB] [PDF 477 KB] (362)
208501 安霞, 黄如, 李志强, 云全新, 林猛, 郭岳, 刘朋强, 黎明, 张兴
  高迁移率Ge沟道器件研究进展
    物理学报   2015 Vol.64 (20): 208501-208501 [摘要] (463) [HTML 1 KB] [PDF 1603 KB] (290)
228502 聂国政, 邹代峰, 钟春良, 许英
  内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善
    物理学报   2015 Vol.64 (22): 228502-228502 [摘要] (373) [HTML 1 KB] [PDF 495 KB] (339)
237104 陈晓雪, 姚若河
  基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究
    物理学报   2012 Vol.61 (23): 237104-237104 [摘要] (3488) [HTML 1 KB] [PDF 387 KB] (464)
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