物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Kp" 的文章:
247202 任舰, 苏丽娜, 李文佳
  晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制
    物理学报   2018 Vol.67 (24): 247202-247202 [摘要] (171) [HTML 1 KB] [PDF 597 KB] (72)
198501 唐文昕, 郝荣晖, 陈扶, 于国浩, 张宝顺
  1000 V p-GaN混合阳极AlGaN/GaN二极管
    物理学报   2018 Vol.67 (19): 198501-198501 [摘要] (315) [HTML 1 KB] [PDF 383 KB] (124)
177202 王翔, 陈雷雷, 曹艳荣, 羊群思, 朱培敏, 杨国锋, 王福学, 闫大为, 顾晓峰
  Ni/Au/n-GaN肖特基二极管可导位错的电学模型
    物理学报   2018 Vol.67 (17): 177202-177202 [摘要] (254) [HTML 1 KB] [PDF 800 KB] (121)
128101 刘洁, 王禄, 孙令, 王文奇, 吴海燕, 江洋, 马紫光, 王文新, 贾海强, 陈弘
  基于p-n结中反常光电转换现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器
    物理学报   2018 Vol.67 (12): 128101-128101 [摘要] (261) [HTML 1 KB] [PDF 2308 KB] (156)
76801 张志荣, 房玉龙, 尹甲运, 郭艳敏, 王波, 王元刚, 李佳, 芦伟立, 高楠, 刘沛, 冯志红
  基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaN HEMT材料
    物理学报   2018 Vol.67 (7): 76801-076801 [摘要] (414) [HTML 1 KB] [PDF 4651 KB] (256)
247203 朱彦旭, 宋会会, 王岳华, 李赉龙, 石栋
  氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备
    物理学报   2017 Vol.66 (24): 247203-247203 [摘要] (269) [HTML 1 KB] [PDF 626 KB] (201)
247302 张力, 林志宇, 罗俊, 王树龙, 张进成, 郝跃, 戴扬, 陈大正, 郭立新
  具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
    物理学报   2017 Vol.66 (24): 247302-247302 [摘要] (287) [HTML 1 KB] [PDF 571 KB] (324)
197301 李淑萍, 张志利, 付凯, 于国浩, 蔡勇, 张宝顺
  基于原位等离子体氮化及低压化学气相沉积-Si3N4栅介质的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的研究
    物理学报   2017 Vol.66 (19): 197301-197301 [摘要] (271) [HTML 1 KB] [PDF 709 KB] (148)
167301 郭海君, 段宝兴, 袁嵩, 谢慎隆, 杨银堂
  具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析
    物理学报   2017 Vol.66 (16): 167301-167301 [摘要] (334) [HTML 1 KB] [PDF 442 KB] (345)
47301 马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃
  AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型
    物理学报   2012 Vol.61 (4): 47301-047301 [摘要] (1959) [HTML 1 KB] [PDF 2081 KB] (878)
57202 吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃
  3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响
    物理学报   2012 Vol.61 (5): 57202-057202 [摘要] (1695) [HTML 1 KB] [PDF 1251 KB] (918)
117304 王平亚, 张金风, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃
  晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究
    物理学报   2011 Vol.60 (11): 117304-117304 [摘要] (5458) [HTML 0 KB] [PDF 1236 KB] (941)
117305 张金风, 王平亚, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃
  高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究
    物理学报   2011 Vol.60 (11): 117305-117305 [摘要] (4382) [HTML 0 KB] [PDF 1742 KB] (842)
97101 王鑫华, 庞磊, 陈晓娟, 袁婷婷, 罗卫军, 郑英奎, 魏珂, 刘新宇
  GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究
    物理学报   2011 Vol.60 (9): 97101-097101 [摘要] (3845) [HTML 1 KB] [PDF 1679 KB] (770)
87807 芦伟, 徐明, 魏屹, 何林
  AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究
    物理学报   2011 Vol.60 (8): 87807-087807 [摘要] (1938) [HTML 0 KB] [PDF 1562 KB] (1196)
68701 郭宝增, 张锁良, 刘鑫
  钎锌矿相GaN电子高场输运特性的Monte Carlo 模拟研究
    物理学报   2011 Vol.60 (6): 68701-068701 [摘要] (3489) [HTML 0 KB] [PDF 1699 KB] (693)
47101 王鑫华, 赵妙, 刘新宇, 蒲颜, 郑英奎, 魏珂
  AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
    物理学报   2011 Vol.60 (4): 47101-047101 [摘要] (3774) [HTML 0 KB] [PDF 1131 KB] (848)
8021 汪莱, 王磊, 任凡, 赵维, 王嘉星, 胡健楠, 张辰, 郝智彪, 罗毅
  AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究
    物理学报   2010 Vol.59 (11): 8021-8025 [摘要] (4483) [HTML 0 KB] [PDF 1352 KB] (1262)
6521 何志刚, 程兴华, 龚敏, 蔡娟露, 石瑞英
  影响磁性pn结自旋极化输运特性的因素
    物理学报   2010 Vol.59 (9): 6521-6526 [摘要] (3957) [HTML 0 KB] [PDF 825 KB] (929)
5724 丁国建, 郭丽伟, 邢志刚, 陈耀, 徐培强, 贾海强, 周均铭, 陈弘
  使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
    物理学报   2010 Vol.59 (8): 5724-5729 [摘要] (4235) [HTML 0 KB] [PDF 778 KB] (1146)
4524 郭剑川, 左玉华, 张云, 张岭梓, 成步文, 王启明
  单行载流子光电探测器中空间电荷屏蔽效应理论分析和实验研究
    物理学报   2010 Vol.59 (7): 4524-4529 [摘要] (3081) [HTML 0 KB] [PDF 743 KB] (856)
566 杨银堂, 耿振海, 段宝兴, 贾护军, 余涔, 任丽丽
  具有部分超结的新型SiC SBD特性分析
    物理学报   2010 Vol.59 (1): 566-570 [摘要] (3970) [HTML 0 KB] [PDF 229 KB] (1536)
7921 蔡宏琨, 陶科, 王林申, 赵敬芳, 隋妍萍, 张德贤
  柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池界面处理的研究
    物理学报   2009 Vol.58 (11): 7921-7925 [摘要] (3820) [HTML 0 KB] [PDF 266 KB] (1576)
7952 张爽, 赵德刚, 刘宗顺, 朱建军, 张书明, 王玉田, 段俐宏, 刘文宝, 江德生, 杨辉
  穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
    物理学报   2009 Vol.58 (11): 7952-7957 [摘要] (3435) [HTML 0 KB] [PDF 245 KB] (1104)
4925 倪金玉, 郝跃, 张进成, 段焕涛, 张金风
  高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
    物理学报   2009 Vol.58 (7): 4925-4930 [摘要] (3479) [HTML 0 KB] [PDF 293 KB] (1452)
3409 张进成, 郑鹏天, 董作典, 段焕涛, 倪金玉, 张金凤, 郝跃
  背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响
    物理学报   2009 Vol.58 (5): 3409-3415 [摘要] (3881) [HTML 0 KB] [PDF 293 KB] (2046)
1959 张进城, 董作典, 秦雪雪, 郑鹏天, 刘林杰, 郝跃
  GaN基异质结缓冲层漏电分析
    物理学报   2009 Vol.58 (3): 1959-1965 [摘要] (3608) [HTML 0 KB] [PDF 252 KB] (1637)
959 林瀚, 刘守, 张向苏, 刘宝林, 任雪畅
  全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率
    物理学报   2009 Vol.58 (2): 959-963 [摘要] (4327) [HTML 0 KB] [PDF 249 KB] (2259)
1886 冯 倩, 郝 跃, 岳远征
  Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究
    物理学报   2008 Vol.57 (3): 1886-1890 [摘要] (3240) [HTML 0 KB] [PDF 255 KB] (933)
57302 段宝兴, 杨银堂
  阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMTs击穿特性分析
    物理学报   2014 Vol.63 (5): 57302-057302 [摘要] (607) [HTML 1 KB] [PDF 526 KB] (512)
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