物理学报
引用检索 快速检索

ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
SCI全文收录
中文半月刊
微信号:wulixuebao
随时查询稿件状态
获取学报最新论文信息
关于本刊
   » 《物理学报》简介
   » 编 委 会
   » 历年SCI影响因子
   » 期刊荣誉
   » 编辑团队
   » 联系我们
在线期刊
   » 当期目录
   » 专题文章
   » 网络预发表
   » 最新录用
   » 过刊浏览
   » 年度作者索引
   » 下载排行
   » SCI高被引论文
   » 分类浏览
   » 点击排行
   » 推荐文章
作者中心
   » 作者投稿
   » 作者查稿
   » 约稿信
   » 投稿须知
   » 版权协议
   » 论文模板
   » 作者常见问题
   » PACS查询
审稿人
   » 审稿政策
   » 审稿人登录
   » 审稿人常见问题
   » 主编登录
   » 编辑登录
友情链接
   » 友情链接
本刊包含  号为 "73.40.Rw" 的文章:
238501 徐威, 王钰琪, 李岳峰, 高斐, 张缪城, 连晓娟, 万相, 肖建, 童祎
  新型忆阻器神经形态电路的设计及其在条件反射行为中的应用
    物理学报   2019 Vol.68 (23): 238501-238501 [摘要] (41) [HTML 1 KB] [PDF 1188 KB] (8)
168504 刘益春, 林亚, 王中强, 徐海阳
  氧化物基忆阻型神经突触器件
    物理学报   2019 Vol.68 (16): 168504-168504 [摘要] (141) [HTML 1 KB] [PDF 2689 KB] (78)
98501 陈义豪, 徐威, 王钰琪, 万相, 李岳峰, 梁定康, 陆立群, 刘鑫伟, 连晓娟, 胡二涛, 郭宇锋, 许剑光, 童祎, 肖建
  基于二维材料MXene的仿神经突触忆阻器的制备和长/短时程突触可塑性的实现
    物理学报   2019 Vol.68 (9): 98501-098501 [摘要] (355) [HTML 1 KB] [PDF 917 KB] (202)
57302 邓小庆, 邓联文, 何伊妮, 廖聪维, 黄生祥, 罗衡
  InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型
    物理学报   2019 Vol.68 (5): 57302-057302 [摘要] (328) [HTML 1 KB] [PDF 821 KB] (99)
207301 王栋, 许军, 陈溢杭
  介电常数近零模式与表面等离激元模式耦合实现宽带光吸收
    物理学报   2018 Vol.67 (20): 207301-207301 [摘要] (324) [HTML 1 KB] [PDF 805 KB] (138)
197301 祁云平, 张雪伟, 周培阳, 胡兵兵, 王向贤
  基于十字连通形环形谐振腔金属-介质-金属波导的折射率传感器和滤波器
    物理学报   2018 Vol.67 (19): 197301-197301 [摘要] (265) [HTML 1 KB] [PDF 895 KB] (201)
157302 余志强, 刘敏丽, 郎建勋, 钱楷, 张昌华
  基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究
    物理学报   2018 Vol.67 (15): 157302-157302 [摘要] (442) [HTML 1 KB] [PDF 5483 KB] (330)
63101 郭家俊, 董静雨, 康鑫, 陈伟, 赵旭
  过渡金属元素X(X=Mn,Fe,Co,Ni)掺杂对ZnO基阻变存储器性能的影响
    物理学报   2018 Vol.67 (6): 63101-063101 [摘要] (500) [HTML 1 KB] [PDF 611 KB] (306)
47302 覃婷, 黄生祥, 廖聪维, 于天宝, 罗衡, 刘胜, 邓联文
  铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究
    物理学报   2018 Vol.67 (4): 47302-047302 [摘要] (328) [HTML 1 KB] [PDF 717 KB] (397)
217304 吴全潭, 时拓, 赵晓龙, 张续猛, 伍法才, 曹荣荣, 龙世兵, 吕杭炳, 刘琦, 刘明
  基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器
    物理学报   2017 Vol.66 (21): 217304-217304 [摘要] (664) [HTML 1 KB] [PDF 1493 KB] (417)
117306 王仲伟, 张建, 李红维, 董春颖, 赵晶, 赵旭, 陈伟
  Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/La0.67Sr0.33MnO3/Pt异质结电致电阻效应的改善
    物理学报   2011 Vol.60 (11): 117306-117306 [摘要] (3532) [HTML 0 KB] [PDF 1278 KB] (600)
8579 付非亚, 陈微, 周文君, 刘安金, 邢名欣, 王宇飞, 郑婉华
  纳米三明治结构光子超材料中电磁场振荡行为研究
    物理学报   2010 Vol.59 (12): 8579-8583 [摘要] (3222) [HTML 0 KB] [PDF 682 KB] (969)
7934 卢果, 方步青, 张广财, 许爱国
  有限温度下位错环的脱体现象
    物理学报   2009 Vol.58 (11): 7934-7946 [摘要] (3634) [HTML 0 KB] [PDF 1317 KB] (1588)
5730 刚建雷, 黎松林, 孟洋, 廖昭亮, 梁学锦, 陈东敏
  点接触金属/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt结构稳定的低电流电阻开关特性
    物理学报   2009 Vol.58 (8): 5730-5735 [摘要] (2433) [HTML 0 KB] [PDF 336 KB] (1163)
17102 熊瑛, 文岐业, 田伟, 毛淇, 陈智, 杨青慧, 荆玉兰
  硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究
    物理学报   2015 Vol.64 (1): 17102-017102 [摘要] (806) [HTML 1 KB] [PDF 5451 KB] (759)
67202 陈然, 周立伟, 王建云, 陈长军, 邵兴隆, 蒋浩, 张楷亮, 吕联荣, 赵金石
  基于Cu/SiOx/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究
    物理学报   2014 Vol.63 (6): 67202-067202 [摘要] (547) [HTML 1 KB] [PDF 4463 KB] (992)
73101 代月花, 潘志勇, 陈真, 王菲菲, 李宁, 金波, 李晓风
  基于HfO2的阻变存储器中Ag导电细丝方向和浓度的第一性原理研究
    物理学报   2016 Vol.65 (7): 73101-073101 [摘要] (433) [HTML 1 KB] [PDF 759 KB] (244)
87301 刘骐萱, 王永平, 刘文军, 丁士进
  基于Ni电极和ZrO2/SiO2/ZrO2介质的MIM电容的导电机理研究
    物理学报   2017 Vol.66 (8): 87301-087301 [摘要] (324) [HTML 1 KB] [PDF 724 KB] (176)
108502 郭羽泉, 段书凯, 王丽丹
  纳米级尺寸参数对钛氧化物忆阻器的特性影响
    物理学报   2015 Vol.64 (10): 108502-108502 [摘要] (593) [HTML 1 KB] [PDF 515 KB] (1000)
114101 党可征, 时家明, 李志刚, 孟祥豪, 王启超
  基于高阻抗表面的多频带Salisbury屏设计
    物理学报   2015 Vol.64 (11): 114101-114101 [摘要] (485) [HTML 1 KB] [PDF 425 KB] (478)
127301 刘琦, 王丽丹, 段书凯
  一种基于忆阻交叉阵列的自适应三高斯模型及其在图像增强中的应用
    物理学报   2017 Vol.66 (12): 127301-127301 [摘要] (253) [HTML 1 KB] [PDF 889 KB] (186)
128502 董哲康, 段书凯, 胡小方, 王丽丹
  两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究
    物理学报   2014 Vol.63 (12): 128502-128502 [摘要] (540) [HTML 1 KB] [PDF 1088 KB] (801)
147301 庞华, 邓宁
  Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究
    物理学报   2014 Vol.63 (14): 147301-147301 [摘要] (343) [HTML 1 KB] [PDF 1124 KB] (371)
167201 任圣, 马忠元, 江小帆, 王越飞, 夏国银, 陈坤基, 黄信凡, 徐骏, 徐岭, 李伟, 冯端
  SiOxx=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究
    物理学报   2014 Vol.63 (16): 167201-167201 [摘要] (408) [HTML 1 KB] [PDF 3153 KB] (440)
177302 王鑫华, 王建辉, 庞磊, 陈晓娟, 袁婷婷, 罗卫军, 刘新宇
  GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
    物理学报   2012 Vol.61 (17): 177302-177302 [摘要] (2131) [HTML 1 KB] [PDF 920 KB] (907)
187301 刘东青, 程海峰, 朱玄, 王楠楠, 张朝阳
  忆阻器及其阻变机理研究进展
    物理学报   2014 Vol.63 (18): 187301-187301 [摘要] (1343) [HTML 1 KB] [PDF 415 KB] (3201)
207302 蒋然, 杜翔浩, 韩祖银, 孙维登
  Ti/HfO2/Pt阻变存储单元中的氧空位聚簇分布
    物理学报   2015 Vol.64 (20): 207302-207302 [摘要] (311) [HTML 1 KB] [PDF 576 KB] (210)
217201 邱东鸿, 文岐业, 杨青慧, 陈智, 荆玉兰, 张怀武
  金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究
    物理学报   2013 Vol.62 (21): 217201-217201 [摘要] (617) [HTML 1 KB] [PDF 6589 KB] (996)
217306 贾林楠, 黄安平, 郑晓虎, 肖志松, 王玫
  界面效应调制忆阻器研究进展
    物理学报   2012 Vol.61 (21): 217306-217306 [摘要] (1772) [HTML 1 KB] [PDF 2332 KB] (1664)
228502 容佳玲, 陈赟汉, 周洁, 张雪, 王立, 曹进
  基于ITO/聚甲基丙烯酸甲酯/Al的有机阻变存储器SPICE仿真
    物理学报   2013 Vol.62 (22): 228502-228502 [摘要] (507) [HTML 1 KB] [PDF 1436 KB] (624)
首页 | 前页 | 后页 | 末页第1页 共2页 共31条记录

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn