物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.43.Cd" 的文章:
67901 王丹, 叶鸣, 冯鹏, 贺永宁, 崔万照
  激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制
    物理学报   2019 Vol.68 (6): 67901-067901 [摘要] (89) [HTML 1 KB] [PDF 1199 KB] (64)
57302 邓小庆, 邓联文, 何伊妮, 廖聪维, 黄生祥, 罗衡
  InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型
    物理学报   2019 Vol.68 (5): 57302-057302 [摘要] (290) [HTML 1 KB] [PDF 821 KB] (85)
17301 陈谦, 李群, 杨莺
  AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结散射机制的影响
    物理学报   2019 Vol.68 (1): 17301-017301 [摘要] (186) [HTML 1 KB] [PDF 438 KB] (99)
18501 邵楠, 张盛兵, 邵舒渊
  具有感觉记忆的忆阻器模型
    物理学报   2019 Vol.68 (1): 18501-018501 [摘要] (268) [HTML 1 KB] [PDF 472 KB] (162)
227901 林舒, 夏宁, 王洪广, 李永东, 刘纯亮
  同轴传输线微放电的统计理论稳态建模及敏感区域计算
    物理学报   2018 Vol.67 (22): 227901-227901 [摘要] (109) [HTML 1 KB] [PDF 2033 KB] (43)
157901 翟永贵, 王瑞, 王洪广, 林舒, 陈坤, 李永东
  介质部分填充平行平板传输线微放电过程分析
    物理学报   2018 Vol.67 (15): 157901-157901 [摘要] (230) [HTML 1 KB] [PDF 720 KB] (122)
87901 何鋆, 俞斌, 王琪, 白春江, 杨晶, 胡天存, 谢贵柏, 崔万照
  磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射
    物理学报   2018 Vol.67 (8): 87901-087901 [摘要] (216) [HTML 1 KB] [PDF 454 KB] (152)
87902 王丹, 贺永宁, 叶鸣, 崔万照
  金纳米结构表面二次电子发射特性
    物理学报   2018 Vol.67 (8): 87902-087902 [摘要] (276) [HTML 1 KB] [PDF 857 KB] (188)
47302 覃婷, 黄生祥, 廖聪维, 于天宝, 罗衡, 刘胜, 邓联文
  铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究
    物理学报   2018 Vol.67 (4): 47302-047302 [摘要] (317) [HTML 1 KB] [PDF 717 KB] (384)
37902 白春江, 封国宝, 崔万照, 贺永宁, 张雯, 胡少光, 叶鸣, 胡天存, 黄光荪, 王琪
  铝阳极氧化的多孔结构抑制二次电子发射的研究
    物理学报   2018 Vol.67 (3): 37902-037902 [摘要] (196) [HTML 1 KB] [PDF 1074 KB] (271)
27303 李群, 陈谦, 种景
  InAlN/GaN异质结二维电子气波函数的变分法研究
    物理学报   2018 Vol.67 (2): 27303-027303 [摘要] (253) [HTML 1 KB] [PDF 549 KB] (118)
156102 汪建元, 林光杨, 王佳琪, 李成
  简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟
    物理学报   2017 Vol.66 (15): 156102-156102 [摘要] (201) [HTML 1 KB] [PDF 449 KB] (106)
237901 王洪广, 翟永贵, 李记肖, 李韵, 王瑞, 王新波, 崔万照, 李永东
  基于频域电磁场的微波器件微放电阈值快速粒子模拟
    物理学报   2016 Vol.65 (23): 237901-237901 [摘要] (352) [HTML 1 KB] [PDF 433 KB] (222)
107301 胡辉勇, 雷帅, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌, 王斌
  Poly-Si1-xGex栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究
    物理学报   2012 Vol.61 (10): 107301-107301 [摘要] (1844) [HTML 1 KB] [PDF 1288 KB] (642)
57304 宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 王晓艳, 王冠宇
  四方晶系应变Si空穴散射机制
    物理学报   2012 Vol.61 (5): 57304-057304 [摘要] (1428) [HTML 1 KB] [PDF 462 KB] (469)
27202 宋坤, 柴常春, 杨银堂, 张现军, 陈斌
  栅漏间表面外延层对4H-SiC功率MESFET击穿特性的改善机理与结构优化
    物理学报   2012 Vol.61 (2): 27202-027202 [摘要] (1325) [HTML 1 KB] [PDF 531 KB] (471)
97302 吴华英, 张鹤鸣, 宋建军, 胡辉勇
  单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型
    物理学报   2011 Vol.60 (9): 97302-097302 [摘要] (3135) [HTML 0 KB] [PDF 1625 KB] (649)
17303 白俊雪, 郭伟玲, 孙捷, 樊星, 韩禹, 孙晓, 徐儒, 雷珺
  GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究
    物理学报   2015 Vol.64 (1): 17303-017303 [摘要] (995) [HTML 1 KB] [PDF 5068 KB] (1020)
47902 李永东, 闫杨娇, 林舒, 王洪广, 刘纯亮
  微波器件微放电阈值计算的快速单粒子蒙特卡罗方法
    物理学报   2014 Vol.63 (4): 47902-047902 [摘要] (532) [HTML 1 KB] [PDF 291 KB] (527)
67305 吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇
  单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型
    物理学报   2015 Vol.64 (6): 67305-067305 [摘要] (373) [HTML 1 KB] [PDF 386 KB] (167)
77901 李永东, 杨文晋, 张娜, 崔万照, 刘纯亮
  一种二次电子发射的复合唯象模型
    物理学报   2013 Vol.62 (7): 77901-077901 [摘要] (780) [HTML 1 KB] [PDF 490 KB] (781)
80202 王现彬, 赵正平, 冯志红
  N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气模拟
    物理学报   2014 Vol.63 (8): 80202-080202 [摘要] (915) [HTML 1 KB] [PDF 367 KB] (724)
94702 陈大伟, 王裴, 蔚喜军, 孙海权, 马东军
  稠密可压缩气粒两相流动中的等熵声速计算建模及物理规律
    物理学报   2016 Vol.65 (9): 94702-094702 [摘要] (548) [HTML 1 KB] [PDF 824 KB] (177)
127302 张镜水, 孔令琴, 董立泉, 刘明, 左剑, 张存林, 赵跃进
  太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中扩散效应研究
    物理学报   2017 Vol.66 (12): 127302-127302 [摘要] (225) [HTML 1 KB] [PDF 707 KB] (126)
128503 邵楠, 张盛兵, 邵舒渊
  具有突触特性忆阻模型的改进与模型经验学习特性机理
    物理学报   2016 Vol.65 (12): 128503-128503 [摘要] (507) [HTML 1 KB] [PDF 522 KB] (299)
147901 叶鸣, 贺永宁, 王瑞, 胡天存, 张娜, 杨晶, 崔万照, 张忠兵
  基于微陷阱结构的金属二次电子发射系数抑制研究
    物理学报   2014 Vol.63 (14): 147901-147901 [摘要] (564) [HTML 1 KB] [PDF 9184 KB] (634)
147902 林舒, 闫杨娇, 李永东, 刘纯亮
  微波器件微放电阈值计算的蒙特卡罗方法研究
    物理学报   2014 Vol.63 (14): 147902-147902 [摘要] (489) [HTML 1 KB] [PDF 294 KB] (445)
148501 孟凡一, 段书凯, 王丽丹, 胡小方, 董哲康
  一种改进的WOx忆阻器模型及其突触特性分析
    物理学报   2015 Vol.64 (14): 148501-148501 [摘要] (377) [HTML 1 KB] [PDF 700 KB] (296)
177201 宋坤, 柴常春, 杨银堂, 贾护军, 陈斌, 马振洋
  改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响
    物理学报   2012 Vol.61 (17): 177201-177201 [摘要] (1254) [HTML 1 KB] [PDF 405 KB] (363)
197103 吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇
  单轴应变SiNMOSFET热载流子栅电流模型
    物理学报   2014 Vol.63 (19): 197103-197103 [摘要] (437) [HTML 1 KB] [PDF 330 KB] (369)
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