物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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本刊包含  号为 "85.30.Tv" 的文章:
97301 宋航, 刘杰, 陈超, 巴龙
  离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管
    物理学报   2019 Vol.68 (9): 97301-097301 [摘要] (200) [HTML 1 KB] [PDF 938 KB] (87)
48501 高占占, 侯鹏飞, 郭红霞, 李波, 宋宏甲, 王金斌, 钟向丽
  选择性埋氧层上硅器件的单粒子瞬态响应的温度相关性
    物理学报   2019 Vol.68 (4): 48501-048501 [摘要] (116) [HTML 1 KB] [PDF 911 KB] (55)
198502 杨雯, 宋建军, 任远, 张鹤鸣
  光器件应用改性Ge的能带结构模型
    物理学报   2018 Vol.67 (19): 198502-198502 [摘要] (139) [HTML 1 KB] [PDF 2589 KB] (77)
178501 周幸叶, 吕元杰, 谭鑫, 王元刚, 宋旭波, 何泽召, 张志荣, 刘庆彬, 韩婷婷, 房玉龙, 冯志红
  基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理
    物理学报   2018 Vol.67 (17): 178501-178501 [摘要] (293) [HTML 1 KB] [PDF 783 KB] (120)
166101 秦丽, 郭红霞, 张凤祁, 盛江坤, 欧阳晓平, 钟向丽, 丁李利, 罗尹虹, 张阳, 琚安安
  铁电存储器60Co γ射线及电子总剂量效应研究
    物理学报   2018 Vol.67 (16): 166101-166101 [摘要] (226) [HTML 1 KB] [PDF 414 KB] (159)
118502 郑加金, 王雅如, 余柯涵, 徐翔星, 盛雪曦, 胡二涛, 韦玮
  基于石墨烯-钙钛矿量子点场效应晶体管的光电探测器
    物理学报   2018 Vol.67 (11): 118502-118502 [摘要] (523) [HTML 1 KB] [PDF 1325 KB] (553)
98502 邵龑, 丁士进
  氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
    物理学报   2018 Vol.67 (9): 98502-098502 [摘要] (334) [HTML 1 KB] [PDF 1402 KB] (382)
68501 陈航宇, 宋建军, 张洁, 胡辉勇, 张鹤鸣
  小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现
    物理学报   2018 Vol.67 (6): 68501-068501 [摘要] (283) [HTML 1 KB] [PDF 723 KB] (136)
246102 张战刚, 雷志锋, 岳龙, 刘远, 何玉娟, 彭超, 师谦, 黄云, 恩云飞
  空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究
    物理学报   2017 Vol.66 (24): 246102-246102 [摘要] (185) [HTML 1 KB] [PDF 1240 KB] (120)
247302 张力, 林志宇, 罗俊, 王树龙, 张进成, 郝跃, 戴扬, 陈大正, 郭立新
  具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
    物理学报   2017 Vol.66 (24): 247302-247302 [摘要] (290) [HTML 1 KB] [PDF 571 KB] (341)
237101 刘远, 何红宇, 陈荣盛, 李斌, 恩云飞, 陈义强
  氢化非晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性
    物理学报   2017 Vol.66 (23): 237101-237101 [摘要] (220) [HTML 1 KB] [PDF 489 KB] (206)
218102 武佩, 胡潇, 张健, 孙连峰
  硅基底石墨烯器件的现状及发展趋势
    物理学报   2017 Vol.66 (21): 218102-218102 [摘要] (563) [HTML 1 KB] [PDF 1264 KB] (1127)
218502 卢琪, 吕宏鸣, 伍晓明, 吴华强, 钱鹤
  石墨烯射频器件研究进展
    物理学报   2017 Vol.66 (21): 218502-218502 [摘要] (380) [HTML 1 KB] [PDF 660 KB] (612)
218503 李卫胜, 周健, 王瀚宸, 汪树贤, 于志浩, 黎松林, 施毅, 王欣然
  二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件
    物理学报   2017 Vol.66 (21): 218503-218503 [摘要] (1015) [HTML 1 KB] [PDF 3056 KB] (1244)
168501 郭立强, 陶剑, 温娟, 程广贵, 袁宁一, 丁建宁
  玉米淀粉固态电解质质子\电子杂化突触晶体管
    物理学报   2017 Vol.66 (16): 168501-168501 [摘要] (306) [HTML 1 KB] [PDF 662 KB] (265)
106103 李明, 余学峰, 薛耀国, 卢健, 崔江维, 高博
  部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
    物理学报   2012 Vol.61 (10): 106103-106103 [摘要] (1770) [HTML 1 KB] [PDF 859 KB] (585)
107803 孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮, 张晓芳
  金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究
    物理学报   2012 Vol.61 (10): 107803-107803 [摘要] (1883) [HTML 1 KB] [PDF 264 KB] (600)
108501 游海龙, 蓝建春, 范菊平, 贾新章, 查薇
  高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究
    物理学报   2012 Vol.61 (10): 108501-108501 [摘要] (1697) [HTML 1 KB] [PDF 527 KB] (624)
96102 刘必慰,陈建军,陈书明,池雅庆
  带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响
    物理学报   2012 Vol.61 (9): 96102-096102 [摘要] (2339) [HTML 1 KB] [PDF 650 KB] (794)
67801 孙鹏,杜磊,陈文豪,何亮
  基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型
    物理学报   2012 Vol.61 (6): 67801-067801 [摘要] (1913) [HTML 1 KB] [PDF 361 KB] (638)
28501 陈海峰, 过立新
  超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究
    物理学报   2012 Vol.61 (2): 28501-028501 [摘要] (1412) [HTML 1 KB] [PDF 527 KB] (553)
116103 刘张李, 胡志远, 张正选, 邵华, 宁冰旭, 毕大炜, 陈明, 邹世昌
  0.18 μm MOSFET器件的总剂量辐照效应
    物理学报   2011 Vol.60 (11): 116103-116103 [摘要] (4153) [HTML 0 KB] [PDF 1394 KB] (833)
108401 杜明星, 魏克新
  一种考虑IGBT基区载流子注入条件的物理模型
    物理学报   2011 Vol.60 (10): 108401-108401 [摘要] (4266) [HTML 0 KB] [PDF 1239 KB] (819)
98501 屈江涛, 张鹤鸣, 秦珊珊, 徐小波, 王晓艳, 胡辉勇
  小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究
    物理学报   2011 Vol.60 (9): 98501-098501 [摘要] (3613) [HTML 0 KB] [PDF 1395 KB] (717)
86107 陈建军, 陈书明, 梁斌, 刘必慰, 池雅庆, 秦军瑞, 何益百
  p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响
    物理学报   2011 Vol.60 (8): 86107-086107 [摘要] (1340) [HTML 0 KB] [PDF 3695 KB] (667)
68702 高博, 余学峰, 任迪远, 崔江维, 兰博, 李明, 王义元
  p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究
    物理学报   2011 Vol.60 (6): 68702-068702 [摘要] (4066) [HTML 0 KB] [PDF 1316 KB] (926)
58501 秦珊珊, 张鹤鸣, 胡辉勇, 屈江涛, 王冠宇, 肖庆, 舒钰
  应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型
    物理学报   2011 Vol.60 (5): 58501-058501 [摘要] (3745) [HTML 0 KB] [PDF 1194 KB] (787)
58502 屈江涛, 张鹤鸣, 王冠宇, 王晓艳, 胡辉勇
  多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型
    物理学报   2011 Vol.60 (5): 58502-058502 [摘要] (3247) [HTML 0 KB] [PDF 1263 KB] (669)
36106 高博, 余学峰, 任迪远, 李豫东, 崔江维, 李茂顺, 李明, 王义元
  静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
    物理学报   2011 Vol.60 (3): 36106-036106 [摘要] (3534) [HTML 0 KB] [PDF 1169 KB] (714)
18501 毕津顺, 海潮和, 韩郑生
  深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究
    物理学报   2011 Vol.60 (1): 18501-018501 [摘要] (4027) [HTML 0 KB] [PDF 885 KB] (848)
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