物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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8088 刘玉荣, 陈伟, 廖荣
  低工作电压聚噻吩薄膜晶体管
    物理学报   2010 Vol.59 (11): 8088-8092 [摘要] (3376) [HTML 0 KB] [PDF 755 KB] (740)
7333 王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维
  增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究
    物理学报   2010 Vol.59 (10): 7333-7337 [摘要] (3099) [HTML 0 KB] [PDF 697 KB] (845)
8566 刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红
  高迁移率聚合物薄膜晶体管
    物理学报   2009 Vol.58 (12): 8566-8570 [摘要] (3887) [HTML 0 KB] [PDF 220 KB] (1757)
7211 毕志伟, 冯倩, 郝跃, 岳远征, 张忠芬, 毛维, 杨丽媛, 胡贵州
  Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响
    物理学报   2009 Vol.58 (10): 7211-7215 [摘要] (3846) [HTML 0 KB] [PDF 217 KB] (1420)
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