物理学报
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2008, Vol. 57(11): 7233-7237    DOI: 10.7498/aps.57.7233
非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究
席光义, 郝智彪, 汪 莱, 李洪涛, 江 洋, 赵 维, 任 凡, 韩彦军, 孙长征, 罗 毅
清华大学电子工程系清华大学信息科学与技术国家实验室/集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
收稿日期 2008-02-29  修回日期 2008-04-11
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