物理学报
引用检索 快速检索
2013, Vol. 62(1): 17202-017202    DOI: 10.7498/aps.62.017202
二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究
孙丹丹1, 陈智2, 文岐业1, 邱东鸿1, 赖伟恩1, 董凯1, 赵碧辉1, 张怀武1
1. 电子科技大学, 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;
2. 电子科技大学, 通信抗干扰技术国家重点实验室, 成都 610054
收稿日期 2012-06-20  修回日期 2012-07-24
Supporting info
null

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn