物理学报
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2014, Vol. 63(1): 17101-017101    DOI: 10.7498/aps.63.017101
应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型
周春宇1, 张鹤鸣1, 胡辉勇1, 庄奕琪1, 吕懿1, 王斌1, 王冠宇2
1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
2. 重庆邮电大学光电工程学院, 重庆 400065
收稿日期 2013-08-29  修回日期 2013-09-12
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