物理学报
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2004, Vol. 53(8): 2780-2785    DOI: 10.7498/aps.53.2780
射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
林洪峰, 谢二庆, 马紫微, 张 军, 彭爱华, 贺德衍
兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
收稿日期 2003-07-18  修回日期 2004-04-13
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