物理学报
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ISSN 1000-3290
CN 11-1958/O4
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物理学报  
   物理学报--1994, 43 (7)   发布日期: 1994-07-15
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总论

Kaup-Kupershmidt方程的对称代数
SYMMETRY ALGEBRA OF THE KAUP-KUPERSHMIDT EQUATION

韩平, 楼森岳
物理学报. 1994, 43 (7): 1041-1049      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1041
全文: [PDF 319 KB] 下载:(649)
摘要
利用Miura变换和Cole-Hopf变换,证明了Kaup-Kupershmidt方程的10族时间无关对称构成一个非Abel李代数。与10族对称相应的10族方程具有共同的强对称,10族可积模型的时间无关对称及其构成的李代数亦被给定。

2+1维双线性Sawada-Kotera方程的对称结构
SYMMETRY STRUCTURE OF 2+1 DIMENSIONAL BILINEAR SAWADA-KOTERA EQUATION

楼森岳, 俞军, 翁建平, 钱贤民
物理学报. 1994, 43 (7): 1050-1055      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1050
全文: [PDF 207 KB] 下载:(703)
摘要
对一类2+1维双线性方程从两个不同角度建立了形式级数对称理论。从一已知的时间无关对称出发或从与一维空间坐标有关的任意函数出发,均可得到一包含时间任意函数的形式级数对称。对于2+1维双线性Sawada-Kotera方程,存在6个截断对称。这些截断对称构成一无穷维李代数。一些有意义的子代数(如Virasoro代数等)也被给定。
唯象论的经典领域

简并双光子激光:无反转激光和无激光反转
DEGENERATE TWO-PHOTON LASERS: LASING WITHOUT INVERSION AND INVERSION WITHOUT LASING

胡响明
物理学报. 1994, 43 (7): 1090-1095      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1090
全文: [PDF 221 KB] 下载:(611)
摘要
在原子衰减常数相等、单光子失谐不太大且饱和不太深的条件下,对于两个适当的原子-场耦合常数,简并双光子激光系统一方面能够呈现无反转激光,另一方面又能够呈现无激光反转。

反向导引磁场自由电子激光中平衡态电子相轨道
PHASE ORBITS OF THE EQUILIBRIUM ELECTRONS IN A FREE-ELECTRON LASER WITH A REVERSED GUIDE FIELD

徐勇, 张世昌
物理学报. 1994, 43 (7): 1096-1104      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1096
全文: [PDF 324 KB] 下载:(521)
摘要
考虑电子束自身场情况下,给出了反向导引磁场自由电子激光中平衡态电子运动的一种正则描述。证明了在可积极限下,不动点附近相轨道的稳定性;并采用美国麻省理工学院的反向导引场自由电子激光实验参数,计算了不同束流强度下的Poincaré截面。结果表明,即使自身场相当强(束流强度达到6000A),平衡态电子的相轨道仍保持其规则性,相空间没有出现混沌,这说明在自由电子激光器中,利用反向导引磁场可以获得比传统的采用正向导引磁场更好的电子束质量,从而改善器件的输出性能。
原子和分子物理学

B splines有限基矢集用于计算磁场中氢原子能级
ENERG LEVELS OF HYDROGEN ATOM IN MAGNETIC FIELD OBTAINED BY USING B SPLINE BASIS SETS

饶建国, 习金华, 刘鸿, 刘文瑜, 李白文
物理学报. 1994, 43 (7): 1056-1065      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1056
全文: [PDF 362 KB] 下载:(624)
摘要
用B splines有限基方法计算了磁场(0<B≤4.7×108T)中氢原子的基态和多个激发态的能级。对R?sner等及Ivanov所算的能级范围做了补充和扩展,所得结果与其它理论方法已有的结果符合得很好,进一步显示了B splines有限基方法在原子外场效应计算中是一种强有力的方法。

锗等离子体远紫外光谱研究
XUV SPECTRUM IN LASER-PRODUCED Ge PLASMA

黄文忠, 何绍堂, 孔令华, 韩红军, 方泉玉, 陈国兴
物理学报. 1994, 43 (7): 1066-1071      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1066
全文: [PDF 219 KB] 下载:(533)
摘要
测量了线聚焦激光加热锗等离子体发射的远紫外光谱,对GeXX-GeXXVI谱线进行了辨认和分类。给出了谱线波长和相对强度;计算了辐射跃迁概率和吸收振子强度;并;与其他实验室有关结果进行了比较。

铷原子频标中的微波功率频移
MICROWAVE POWER FREQUENCY SHIFT IN THE 87Rb ATOMIC FREQUENCY STANDARD

初鑫钊, 刘淑琴, 董太乾
物理学报. 1994, 43 (7): 1072-1076      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1072
全文: [PDF 187 KB] 下载:(638)
摘要
根据我们的测量,在铷原子频标中微波功率频移系数总是正的。已有的关于微波功率频移的解释无法解释此现象。本文从微波场引起交流Zeeman效应的观点出发,解释了这一现象。

中能电子的全截面测量装置和对氮分子的散射全截面
DEVICE FOR MEASURING THE TOTAL CROSS-SECTION (TCS) OF ELECTRON SCATTERING AND THE EXPERIMENTAL ELECTRON-MOLECULAR NITROGEN TCS AT INTERMEDIATE ENERGY

邢士林, 徐克尊, 陈向军, 杨炳忻, 王永刚, 庞文宁, 张芳, 施启存
物理学报. 1994, 43 (7): 1077-1082      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1077
全文: [PDF 196 KB] 下载:(551)
摘要
介绍一台用于中能电子散射全截面的测量装置,并给出了500-2600ev电子与氮分子散射全截面的实验结果。

电子氢原子碰撞电离能量微分截面和总截面的理论计算
THE THEORETIC CALCULATION OF ENERGY DIFFERENTIAL AND INTEGRAL CROSS SECTIONS FOR ELECTRON-HYDROGEN COLLISION

胡畏, 王炎森, 方渡飞, 陆福全, 杨福家
物理学报. 1994, 43 (7): 1083-1089      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1083
全文: [PDF 252 KB] 下载:(763)
摘要
利用扭曲波玻恩交换(DWBE)近似方法对电子-氢原子碰撞电离截面进行了计算,计算所得总截面和能量微分截面均与最新的实验结果进行了比较,比较结果显示本计算与实验有较好的符合。还给出了能量微分截面的高斯拟合公式,文中对实验与理论计算存在的一些差距进行了讨论。
凝聚物质:结构、热学和力学性质

取向对径向分布函数的影响
EFFECT OF ORIENTATION ON RADIAL DISTRIBUTION FUNCTION

陈济舟, 王俊桥, 韩甫田
物理学报. 1994, 43 (7): 1105-1110      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1105
全文: [PDF 237 KB] 下载:(772)
摘要
依据实验结果导出的径向分布函数(RDF),因实验测量和数据处理误差引入的误差称作“误差畸变”,如峰形宽化,峰面积改变,峰位移动以及假峰出现等。RDF是建立在非晶材料结构各向同性和均匀性假设基础上的。因此当非晶材料存在取向各向异性时,其RDF出现一种比误差畸变更为严重的“取向畸变”,它将导致RDF的解释出现严重错误。讨论了这种“取向畸变”特征。

GexSi1-x合金中的键长及其对电子能带结构的影响
THE BOND LENGTHS AND THEIR EFFECTS ON THE ELECTRONIC ENERGY BAND STRUCTURES IN THE GexSi1-x ALLOYS

徐至中
物理学报. 1994, 43 (7): 1111-1117      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1111
全文: [PDF 301 KB] 下载:(519)
摘要
采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟GexSi1-x合金,根据总能最小原则计算了GexSi1-x合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,GexSi1-x合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得

GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟
MONTE CARLO SIMULATION OF MBE GROWTH ON GaAs VICINAL SURFACE

茅惠兵, 陆卫, 马朝晖, 刘兴权, 沈学础
物理学报. 1994, 43 (7): 1118-1122      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1118
全文: [PDF 268 KB] 下载:(666)
摘要
用Monte Carlo方法模拟了GaAs(001)面的邻晶面上的分子束外延的生长过程,模拟的基本模型是常用的SOS模型,结果显示在A类邻晶面上二维成核模式起主委作用,但在B类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用,但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式.另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象.

GaN异质外延的离子化氮源方法
HETEROEPITAXY OF GaN BY USING AN IONIZED N SOURCE

贺仲卿, 丁训民, 侯晓远, 王迅, 沈孝良
物理学报. 1994, 43 (7): 1123-1128      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1123
全文: [PDF 280 KB] 下载:(676)
摘要
用电离N产生的离子束作为外延生长氮化物的N源已获得成功,在GaAs(100)衬底上长出了具有立方结晶的GaN薄膜,其(200)X射线衍射峰宽仅23′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方GaN的表面光学声子出现在损失能量为82meV处.
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质

同质硅分子束外延层的界面缺陷的研究
A STUDY OF THE INTERFACIAL DEFECTS IN MOLECULAR BEAM EPITAXIAL SILICON

陆昉, 龚大卫, 孙恒慧
物理学报. 1994, 43 (7): 1129-1136      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1129
全文: [PDF 403 KB] 下载:(771)
摘要
对同质硅分子束外延层的界面缺陷进行了测试与分析.对存在高浓度施主型界面缺陷的P型材料,通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图,得到了该缺陷能级上电子的填充与发射随外加反向偏压变化的情况.并分析了用深能级瞬态谱(DLTS)对其进行测试所需的条件,以及与常规的DLTS测试结果的不同之处.提出了可同时对该缺陷上电子的发射和俘获过程进行DLTS测量的方法.实验测量结果表明,该高密度的界面缺陷的能级位置位于Ec-0.30eV.

快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF HEAVILY BORON DOPED Si EPILAYER AFTER RAPID THERMAL ANNEALING

袁健, 陆昉, 孙恒慧, 卫星, 杨敏, 黄大鸣, 徐宏来, 沈鸿烈, 邹世昌
物理学报. 1994, 43 (7): 1137-1143      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1137
全文: [PDF 323 KB] 下载:(1114)
摘要
对快速退火后用共蒸发B3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究.1100℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高4倍,空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当;外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭,获得了晶体质量良好的外延层.

沉积在α-Al3分形基底上Ag薄膜的特性
CHARACTERISTICS OF Ag THIN FILMS DEPOSITED ON THE FRACTAL SUBSTRATES OF α-Al3 CERAMICS

许宇庆, 叶高翔, 王劲松, 陶向明, 张其瑞
物理学报. 1994, 43 (7): 1144-1151      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1144
全文: [PDF 517 KB] 下载:(741)
摘要
报道了采用磁控溅射法在α-Al3分形基底上沉积Ag薄膜表面的形貌、结晶状态以及其V-I特性.结果表明:分形的Al3基底导致Ag薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞,它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响.在一定的厚度范围内,Ag薄膜呈现反常的非线性I(V)特性,其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响.

非含Cu氧化物超导体的超导电性机制
SUPERCONDUCTIVITY MECHANISM OF NON-CUPRATE SUPERCONDUCTORS

余超凡, 陈斌, 何国柱
物理学报. 1994, 43 (7): 1152-1158      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1152
全文: [PDF 263 KB] 下载:(640)
摘要
基于单占据aiσ表象和电荷涨落机制,应用简并微扰理论推导了非含cu氧化物Ba1-x·KxBiO3的双带Hubbard模型有效哈密顿量.考虑到坐标空间两个相反自旋空穴的次近邻格位配对,得到了格林函数运动方程和超导方程.合理解释了超交换作用和跳跃能对次近邻配对的作用,并且超导窗是由于坐标空间Cooper配对的结果.

碱金属掺杂富勒烯超导体的临界温度和约化能隙研究
THEORY OF SUPERCONDUCTIVITY IN ALKALI-METAL-DOPED FULLERENES

严大东, 王志坚, 徐铁峰, 李文铸
物理学报. 1994, 43 (7): 1159-1165      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1159
全文: [PDF 268 KB] 下载:(645)
摘要
碱金属掺杂富勒烯与传统的超导体情况不同,它有一个很宽区域的声子谱,其最高频率和最低频率分别与费密能EF和零温超导能隙△0为同一数量级,这必将导致对原来强耦合超导电性理论的修正。本文在此情况下求解Eliashberg方程,得到Tc和△0的表达式。结果表明,分子间的低频振动模和分子上的高频振动模同样参与电声耦合,Tc主要取决于声子谱中高频成份的贡献,而△0的增加主要取决于声子谱中

高Jc Tl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散
FLUX PINNING AND DISSIPATION IN Tl (2223) Ag-SHEATHED TAPE WITH HIGH Jc

孙玉平, 张发培, 姜建义, 胡安明, 王迎枫, 杜家驹, 张裕恒, 盛正直
物理学报. 1994, 43 (7): 1166-1171      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1166
全文: [PDF 255 KB] 下载:(572)
摘要
测量了Tl系2223相银包套超导带(Jc=1.5×10A·cm-2,77K,0T)在0-0.8T磁场下电阻转变展宽,实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面(H∥ab面)和磁场垂直于带面(H⊥ab面)两种情况下,激活能与磁场之间满足幂指数关系:U0∥=0.21 H-0.3(eV),U0⊥=0.15 H-0.4(eV),其中H的单位为kG。

一种具有铁磁与反铁磁相互作用Ising模型的热力学性质
THERMODYNAMICAL BEHAVIOR OF THE ISING MODEL WITH FERROMAGNETIC AND ANTI-FERROMAGNETIC INTERACTIONS

黄东, 翁永刚
物理学报. 1994, 43 (7): 1172-1176      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1172
全文: [PDF 177 KB] 下载:(479)
摘要
对最近邻自旋间具有反铁磁相互作用Js,相隔偶数个自旋间又具有指数型长程铁磁相互作用J1的一维Ising模型,利用积分方程的方法得出内能和比热的解析表达式。在J1=1,Js分别为0.05,0.1和0.3的条件下,作出零场时的内能和比热随温度参量变化的图形,并指出其相变临界点。在J1=1,Js=0.1的条件下,作出外磁场变化对内能和比热的影响图。鉴于系统在低温、零场或弱场以及较弱

Rfe10.5V1.5Nx化合物的结构和内禀磁性研究
STUDY ON THE STRUCTURAL AND MAGNETIC PROPERTIES OF RFe10.5V1.5Nx

杨应昌, 董生智, 杨俊
物理学报. 1994, 43 (7): 1177-1184      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1177
全文: [PDF 297 KB] 下载:(456)
摘要
系统地研究了Rfe10.5V1.5Nx(R=Y,Ce,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er)化合物的结构和内禀磁性,并与相应的Rfe10.5V1.5Nx化合物进行了比较。同Rfe10.5V1.5Nx化会物相比,由于v含量低,Rfe10.5V1.5Nx

81NiFe/Cr多层膜磁电阻单向各向异性与交换耦合
UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY MAGNETORESISTANCE AND EXCHANGE COUPLING IN 81 NiFe/Cr MULTILAYER

陈慧余, 罗有泉, 朱弘, 温琳清
物理学报. 1994, 43 (7): 1185-1191      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1185
全文: [PDF 517 KB] 下载:(676)
摘要
采用电子束蒸发法制备的81NiFe/Cr多层膜具有单向各向异性,磁滞回线非轴对称,相当存在1Oe数量级的交换偏场。磁电阻回线的上升和下降两枝差别明显,其中以横向磁电阻回线最为显著。有的试样上升枝与下降枝相应的最大横向磁电阻率之差已高达0.78%,其最大各向异性磁电阻率(Rmax-Rmin)/R为4.72%,甚高于Miyazaki等[1]的优质82NiFe合金单层膜的报道值3%。可以认为这类多层膜的磁电阻效应除主要来源于自旋-轨道耦合机制外,

光学非均匀单向纤维复合材料的应力光学行为
STRESS-OPTICAL BEHAVIORS OF OPTICALLY HETERO-GENEOUS FIBER REINFORCED COMPOSITES

张武, 王燕
物理学报. 1994, 43 (7): 1192-1202      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1192
全文: [PDF 396 KB] 下载:(626)
摘要
通过傅里叶变换从新的角度考察了光学非均匀单向纤维增强复合材料的偏振光学行为,发现其光强I-方位角θ曲线主要仅由不多于三种基波组成,它们是零次(常量)、二次和四次基波。研究结果表明:四次基波的模与主应力差有很好的相关性,在所进行的实验条件下,四次基波的模都按正弦平方曲线规律随主应力差的增减而单调变化;并发现四次基波的初相角α∥4与双折射方向一致。在此基础上提出了复会材料双折射率,△Nc的概念。这一结果不仅对进一步认识纤维复合材料的复杂偏振光学现象可能有意义,而且也

自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题
THE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA SHIFT OF POROUS SILICON BY SPONTANEOUS OXIDATION

吴晓薇, 鲍希茂, 郑祥钦, 阎锋
物理学报. 1994, 43 (7): 1203-1207      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1203
全文: [PDF 207 KB] 下载:(620)
摘要
多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态,改变了表面态的分布,从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。

钠米材料Fe2O3微结构的正电子寿命谱学研究
INVESTIGATION OF MICROCONSTRUCTURE OF NANOMATERIAL Fe2O3 BY POSITRON LIFETIME SPECTROSCOPY

彭郁卿, 王涛, 周诗瑶, 卜为, 张立德
物理学报. 1994, 43 (7): 1208-1216      http://dx.doi.org/10.7498/aps.43.1208
全文: [PDF 387 KB] 下载:(874)
摘要
用X射线衍射确定了纳米材料Fe2O3的平均粒径。测量了正电子的寿命。给出了平均粒径随退火温度的变化和短寿命成分τ1、中等寿命成分τ2以及它们的强度比I2/I1随平均粒径的变化。讨论了纳米材料Fe2O3的界面结构、平均正电子寿命τ与多普勒展宽谱S参效间的对应关系。

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