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用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变

胡晓明 林彰达

用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变

胡晓明, 林彰达
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-03-23
  • 刊出日期:  1996-03-05

用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变

  • 1. 中国科学院表面物理国家重点实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家教育委员会留学人员专项基金

    国家自然科学基金部分资助的课题

摘要: 描述了用低能电子衍射(LEED)研究不同温度下在Si(100)-c(8×8)表面吸氢引起的一系列相变过程。实验发现:在液氮温度下,在Si(100)-c(8×8)表面连续吸氢将引起表面经Si(100)-(4×1)-H向(2×1)-H最终向(1×1)-H转变;而在从700℃到室温间的不同温度下饱和吸氢,实验中观察到:Si(100)-c(8×8)表面将先转变至Si(100)-c(4×4)-H,然后至(2×1)-最终至(1×1)-H。

English Abstract

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