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对单晶硅里双碳中心经退火后的光谱研究

亓文杰 郭达勤

对单晶硅里双碳中心经退火后的光谱研究

亓文杰, 郭达勤
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-02-21
  • 修回日期:  1995-07-03
  • 刊出日期:  1996-06-20

对单晶硅里双碳中心经退火后的光谱研究

  • 1. (1)复旦大学电子工程系,上海200433; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433;香港科技大学物理系,香港九龙清水湾道

摘要: 对区熔和直拉单晶硅中双碳中心的热退火行为进行研究,并观测到新的硅光致发光谱线。这些谱线与硅中的碳、氧等点缺陷有关。实验已发现,双碳中心化学键断裂不是双碳中心退化的唯一原因,其他缺陷也会产生影响。我们认为双碳中心位于951.16(7671),952.98(7686),956.91meV(7717cm-1的子带谱线是由于间隙硅原子而不是由空位造成的。

English Abstract

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