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稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强度及磁化率的研究

王泽温 介万奇

稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强度及磁化率的研究

王泽温, 介万奇
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-31
  • 修回日期:  2006-10-18
  • 刊出日期:  2007-02-20

稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强度及磁化率的研究

  • 1. 西北工业大学材料学院,西安 710012
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:50336040)资助的课题.

摘要: 利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计对垂直布里奇曼法生长的Hg0.89Mn0.11Te晶片磁化强度变化规律进行了测量.试验采用了两种不同的外场和冷却条件.首先在5 K恒温下,-5200到5200 kA/m范围内改变磁场强度进行了测定.然后维持800 kA/m恒定磁场,分别在有场冷却和无场冷却条件下,从5到300 K范围内改变温度,研究了变温条件下的磁化特性.并采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对磁化强度随磁场强度变化的实验结果进行拟合和分析,结果表明,Mn2+离子之间存在反铁磁相互作用.磁化率和温度关系分析表明:在测试范围内Hg0.89Mn0.11Te是单一的顺磁相,在高温区磁化率和温度服从居里-万斯定律,呈线性关系,低于40 K时,磁化率和温度的关系偏离居里-万斯定律,表现出顺磁增强现象.

English Abstract

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