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In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理

李世帅 张仲 黄金昭 冯秀鹏 刘如喜

In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理

李世帅, 张仲, 黄金昭, 冯秀鹏, 刘如喜
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  • 采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670 nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一
    • 基金项目: 山东省自然科学基金(批准号:Y2007G14),山东省科学技术发展计划项目(批准号:2009GG2003028,2010G0020423),济南大学博士基金(批准号:XBS0845),北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室开放基金(批准号:2010LOI01)和济南大学科研基金(批准号:XKY1029)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-30
  • 修回日期:  2011-01-06
  • 刊出日期:  2011-09-15

In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理

  • 1. 济南大学理学院,济南 250022
    基金项目: 

    山东省自然科学基金(批准号:Y2007G14),山东省科学技术发展计划项目(批准号:2009GG2003028,2010G0020423),济南大学博士基金(批准号:XBS0845),北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室开放基金(批准号:2010LOI01)和济南大学科研基金(批准号:XKY1029)资助的课题.

摘要: 采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670 nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一

English Abstract

参考文献 (25)

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