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SOI SONOS EEPROM 总剂量辐照阈值退化机理研究

肖志强 周昕杰 李蕾蕾 于宗光

SOI SONOS EEPROM 总剂量辐照阈值退化机理研究

肖志强, 周昕杰, 李蕾蕾, 于宗光
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  • 阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOI SONOS EEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.
    • 基金项目: 极大规模集成电路制造装备及成套工艺国家科技重大专项(批准号:2009ZX02306-04)资助的课题.
    [1]

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    Wallinger, T 2007 Semiconductor International 30 49

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    Wang G, Eichenlaub N T, Jin Z A, Zhang Y L, White M H 2007 Semiconductor Device Research Symposium 2007 International, College Park, MD, Dec. 12—14 2007 p1

  • [1] 徐贤达, 赵磊, 孙伟峰. 石墨烯纳米网电导特性的能带机理第一原理. 物理学报, 2020, 69(4): 047101. doi: 10.7498/aps.69.20190657
    [2] 刘丽, 刘杰, 曾健, 翟鹏飞, 张胜霞, 徐丽君, 胡培培, 李宗臻, 艾文思. 快重离子辐照对YBa2Cu3O7-δ薄膜微观结构及载流特性的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191914
  • 引用本文:
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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-17
  • 修回日期:  2010-12-31
  • 刊出日期:  2011-09-15

SOI SONOS EEPROM 总剂量辐照阈值退化机理研究

  • 1. (1)电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035; (2)东南大学电子科学与工程学院,南京 210096; (3)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035
    基金项目: 

    极大规模集成电路制造装备及成套工艺国家科技重大专项(批准号:2009ZX02306-04)资助的课题.

摘要: 阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOI SONOS EEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.

English Abstract

参考文献 (23)

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