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纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究

彭静 徐智谋 吴小峰 孙堂友

纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究

彭静, 徐智谋, 吴小峰, 孙堂友
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-15
  • 修回日期:  2012-08-24
  • 刊出日期:  2013-02-05

纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究

  • 1. 武汉科技大学理学院, 武汉 430081;
  • 2. 华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61076042, 60607006)、国家重大科学仪器专项(批准号: 2011YQ16000205)和国家高技术研究发展计划(批准号: 2011AA03A106)资助的课题.

摘要: 利用表面光子晶体能大幅提高发光二极管(LED)的外量子效率, 但如何制备大面积的纳米光子晶体是该研究方向的主要难点之一. 本文基于纳米压印技术在氮化镓基发光二极管(GaN-LED)表面制作孔状二维光子晶体. 通过以金属和聚合物双层掩膜干法刻蚀法, 得到了很好的光子晶体图形转移效果. 最终在LED的p-GaN层表面获得了大面积光子晶体, 周期为450 nm, 纳米孔直径为240 nm. 器件测试结果显示, 有表面光子晶体的LED比没有光子晶体的LED, 光致发光强度峰值提高到了7.2倍.

English Abstract

参考文献 (14)

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