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用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命

王守武

用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命

王守武
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出版历程
  • 收稿日期:  1962-06-18
  • 刊出日期:  2005-08-05

用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命

摘要: 本文提出了一种新的测量半导体材料中少数载流子寿命的方法。这方法是测量触针下分布电阻的光电导衰退。这方法具有下列优点:(1)样品不需要切成一定形状;(2)在样品上不需要做固定电极;(3)可以检验不均匀的材料;(4)不需要一定的表面处理;(5)仪器简单,操作方便;(6)有一定的准确度。文中对表面复合速度以及光线在样品中的吸收深度的影响进行了理论分析;同时对Ge和Si样品的实验数据进行了讨论。用这方法测得的寿命基本上与其他方法的结果符合。

English Abstract

参考文献 (1)

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