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硅中位错增殖的实验观察

刘振茂 王贵华 洪晶 叶以正

硅中位错增殖的实验观察

刘振茂, 王贵华, 洪晶, 叶以正
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出版历程
  • 收稿日期:  1966-01-09
  • 刊出日期:  2005-08-05

硅中位错增殖的实验观察

摘要: 用化学侵蚀法研究了在机械应力和热应力作用下硅中位错的增殖和非均匀成核。结果表明,在使位错增殖和成核作用上,热应力同机械应力是等效的。硅中小角晶界中的位错,原生孤立位错都能成为位错源;晶体内部的缺陷及表面蚀斑处的应力集中能够引起位错成核;硅中螺型位错能够通过交叉滑移机制发生增殖。对新生位错环空间分布的研究表明,Frank-Read机制可能是位错增殖的主要形式。位错能否发生增殖,主要决定于位错源所受分切应力的数值、晶体温度、位错本身的结构特点以及钉扎情况等。

English Abstract

参考文献 (1)

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