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用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题

虞孝栋 吴道怀 唐福娣 谭浩然

用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题

虞孝栋, 吴道怀, 唐福娣, 谭浩然
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出版历程
  • 收稿日期:  1966-01-26
  • 刊出日期:  2005-08-05

用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题

  • 1. 中国科学院

摘要: 本文介绍一种测量碳化硅半导体少数载流子寿命的方法,叙述有关的原理和测试设备,并就对测试结果有极大影响的谐振干扰、点接触的电学性质和电发光特性等问题进行了试验。提出了若干可以避兔谐振干扰、防止触点旁路并控制整流比的有效措施。推荐采用焊铟方法制备低阻接触。指出,为了保证实验结果的可靠性,测试前必须了解样品的发光特性。采用这种方法测定了若干碳化硅单晶的少数载流子寿命,测得值一般低于4.2×10-9秒。

English Abstract

参考文献 (1)

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