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替代式合金系统的电阻率

雷啸霖

替代式合金系统的电阻率

雷啸霖
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-02-20
  • 刊出日期:  2005-07-29

替代式合金系统的电阻率

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 本文将文献[1]的无序晶态合金电阻率理论推广到包含长程有序的系统,从而建立了适用于晶态金属,无序及有序替代式合金的Ziman型电阻率理论。根据这个理论我们详细讨论了这类系统电阻率的温度依赖性。文中着重指出:合金系统结构因子的超结构峰对电阻率有重要贡献。这个贡献在低温下是一个T2项,它比电子-电子散射引起的T2项大得多,因而合金系统电阻率在T0+ρa(T/Θ)2+ρi(T/Θ)5的形式。据此,许多A-15化合物正常态电阻率在低温下的反常行为很容易解释。作为例子,我们将低温电阻率的理论表达式与V3Si的测量值作了比较,符合得很好。

English Abstract

参考文献 (1)

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