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马氏体相变过程中低频内耗的研究

王业宁 邹一峰 张志方

马氏体相变过程中低频内耗的研究

王业宁, 邹一峰, 张志方
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出版历程
  • 收稿日期:  1979-09-13
  • 刊出日期:  2005-07-29

马氏体相变过程中低频内耗的研究

  • 1. 南京大学固体物理研究所

摘要: 本文测出了金镉(Au-Cd)合金在正反马氏体相变过程的低频内耗峰,内耗极大值与变温速率有线性关系,但比Fe-Mn等非热弹性马氏体相变内耗的速率依赖要小得多,稳定内耗峰(变温速率为零)在每一温度的内耗值与频率无关,是静滞型损耗。内耗峰高与马氏体晶粒尺寸有关。等温转变过程也出现一个内耗-时间峰。根据以上诸实验事实,我们认为,低频马氏体相变内耗是由那些在振动应力作用下可以运动的相界面所引起的。

English Abstract

参考文献 (1)

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