搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaAs(110)面的电子结构

张开明 叶令

GaAs(110)面的电子结构

张开明, 叶令
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2489
  • PDF下载量:  691
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1979-05-23
  • 刊出日期:  2005-07-29

GaAs(110)面的电子结构

  • 1. 复旦大学现代物理研究所

摘要: 本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。

English Abstract

参考文献 (1)

目录

    /

    返回文章
    返回