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含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究

杨传铮 朱建生

含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究

杨传铮, 朱建生
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-04-13
  • 刊出日期:  2005-07-27

含氢气氛下区熔硅单晶中缺陷的研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 利用化学腐蚀和X射线投影貌相方法研究了含氢气氛下区熔无位错硅单晶中的缺陷,发现异常腐蚀现象、缺陷密度与气氛中氢含量紧密相关,观测了纯氢气氛下无位错硅单晶退火后的缺陷,找到了貌相与蚀象的对应关系,还观察了二次退火效应,最后,综合所观测到的结果,讨论了氢在硅单晶中的集聚、沉淀和位错环列的发射、运动及交互作用。

English Abstract

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