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厚度、中温热处理和电场对a-Si:H的电导率激活能及其转折点的影响

严诚

厚度、中温热处理和电场对a-Si:H的电导率激活能及其转折点的影响

严诚
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-04-15
  • 刊出日期:  2005-07-27

厚度、中温热处理和电场对a-Si:H的电导率激活能及其转折点的影响

  • 1. 峨嵋半导体材料研究所,峨嵋,四川

摘要: 本实验测量了一系列不同厚度的掺杂的n型非晶硅样品。每个样品的电导率-温度曲线在室温以上都出现三个激活能和两个转折点。180—250℃的热处理能引起转折点的位置向高温移动。样品越薄移动的距离越大。而在极薄的样品中,此种移动甚至在室温下自发产生。改变测量电压Vs会引起中温和高温激活能的变化。电场的这种影响在厚样品中显得很强,随着样品的减薄而转弱。本文还讨论了解释这些现象的模型。并用计算机描图等方法进行了比较成功的验证。

English Abstract

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