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正常导体-超导体(n-s)多层薄膜系统的电子态

邢定钰 龚昌德

正常导体-超导体(n-s)多层薄膜系统的电子态

邢定钰, 龚昌德
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-08-03
  • 刊出日期:  2005-07-27

正常导体-超导体(n-s)多层薄膜系统的电子态

  • 1. 南京大学物理系

摘要: 本文是文献[1—3]工作的继续,在前面工作中发展的方法被推广到讨论半无限n-s多层膜结构的电子态,构造这种系统的步骤如下:首先把一完整无限的晶体沿两个分开的原子平面切割开得一晶体薄膜,它可以是正常金属也可以是超导体;然后把薄膜A和B通过金属型接触形成一混合单元O;最后沿垂直于界面方向依次排上单元O构成一半无限多层膜结构,我们导出了上述每一步所对应的单位子格林函数,对两种不同正常金属组成的多层膜结构,给出了单粒子状态密度和能带的数值计算结果,当两种正常金属相同时,所得的公式结果与文献[7]等价,进而,对薄膜

English Abstract

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