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GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS研究

董国胜 丁训民 杨曙 王迅 徐亚伯

GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS研究

董国胜, 丁训民, 杨曙, 王迅, 徐亚伯
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-12-28
  • 刊出日期:  1983-10-20

GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS研究

  • 1. (1)复旦大学现代物理研究所; (2)浙江大学物理系

摘要: 用偏振的紫外光源测量了GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS谱,从清洁表面和吸附氧以后UPS的差谱中辨别出了在价带顶以下2eV以内的表面态峰,根据用偏振光所得到的谱和跃迁选择定则的讨论,认为表面态包含了三个峰,价带顶以下0.5eV处有一个对应于表面Ga原子桥键态的峰,在0.7eV处有对应于表面As原子桥键态的峰,而在1.3eV处的峰则同表面原子的悬键态相联系。

English Abstract

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