搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

直拉硅单晶原生微缺陷的观察

林汝淦 张金福 麦振洪 崔树范 傅全贵

直拉硅单晶原生微缺陷的观察

林汝淦, 张金福, 麦振洪, 崔树范, 傅全贵
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2731
  • PDF下载量:  631
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1982-03-02
  • 刊出日期:  2005-07-21

直拉硅单晶原生微缺陷的观察

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院物理研究所

摘要: 对沿方向生长的p型和沿方向生长的n型宏观无位错直拉硅单晶,用铜缀饰X射线形貌术和腐蚀法观察到两种不同类型的微缺陷,对n型硅单晶还观察到一种特殊组态的微缺陷。对观察到的微缺陷的分布、组态进行了初步的分析。本文首次采用X射线透射投影和截面形貌术对硅单晶原生微缺陷进行直接观察,获得了相应的微缺陷图。所观察到的微缺陷的组态、尺度、分布等与铜缀饰X射线透射形貌图所示结果一致。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回