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Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

周均铭 黄绮 林彰达

Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

周均铭, 黄绮, 林彰达
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-09-26
  • 刊出日期:  2005-03-25

Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 用AES和RHEED研究铟原子在Si(111)4×1-In结构表面粘着系数与温度的关系。在110℃以下,几乎为零的铟原子的粘着系数是由于4×1-In结构的原子排列使表面呈现价键饱和状态所致;在110—120℃温区内发生的粘着系数的阶跃变化可以用表面熔化所导致的有序-无序的相变模型来解释;高于120℃,粘着系数始终接近于1。

English Abstract

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