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Si,GaAs(111)表面弛豫效应

夏建白

Si,GaAs(111)表面弛豫效应

夏建白
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-12-09
  • 刊出日期:  2005-07-20

Si,GaAs(111)表面弛豫效应

  • 1. 中国科学院半导体研究所

摘要: 本文将赝原子轨道的线性组合方法应用于计算半导体表面电子结构。除了赝势的形状因子以外,不引入任何可调参量。用这方法计算了Si和GaAs(111)理想表面和弛豫表面的电子态和波函数。Si的结果与Appelbaum和Hamann的自洽计算结果在表面能级位置和表面电荷分布两方面都符合得比较好。计算结果表明,当表面Si或Ga原子向内位移时,表面能级向上移动;表面As原子向外位移时,表面能级向下移动。同时,表面态波函数的性质往往也发生较大的变化。

English Abstract

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