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InP清洁表面上电子感应吸附氧的研究

俞鸣人 王虹川 方志烈 侯晓远 王迅

InP清洁表面上电子感应吸附氧的研究

俞鸣人, 王虹川, 方志烈, 侯晓远, 王迅
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-08-11
  • 刊出日期:  2005-03-28

InP清洁表面上电子感应吸附氧的研究

  • 1. 复旦大学

摘要: 用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H2O和O2的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的

English Abstract

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