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1.8—4.2K GaAs1-xPx注N+,注Zn+光荧光谱

徐俊英 陈良惠 弓继书 徐仲英 庄蔚华 李玉璋 许继宗 吴灵犀

1.8—4.2K GaAs1-xPx注N+,注Zn+光荧光谱

徐俊英, 陈良惠, 弓继书, 徐仲英, 庄蔚华, 李玉璋, 许继宗, 吴灵犀
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-06-30
  • 刊出日期:  2005-07-20

1.8—4.2K GaAs1-xPx注N+,注Zn+光荧光谱

  • 1. 中国科学院半导体研究所

摘要: 本文研究了1.8—4.2K下离子注N,注ZnGaAs1-xPx样品的光致发光行为。实验结果表明由N-Zn跃迁完全转变到N束缚激子复合的x值依赖N,Zn的浓度。利用Campbell局域化模型计算了N-Zn跃迁与N束缚激子复合的几率比。这一几率比是组分x和N-Zn浓度的函数。在1.8K,在同一样品上我们清晰地观测到对应N-Zn跃迁与N束缚激子复合的光谱。

English Abstract

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