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Si中S0对、Se0对和Te0对的电子结构

胡伟敏 顾一鸣 任尚元

Si中S0对、Se0对和Te0对的电子结构

胡伟敏, 顾一鸣, 任尚元
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-03-10
  • 刊出日期:  2005-07-14

Si中S0对、Se0对和Te0对的电子结构

  • 1. 中国科学技术大学物理系
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中(S0)2,(Se0)2及(Te0)2基态的能级和波函数。分析了几种不同的观点。(S0)2,(Se0)2及(Te0)2均在禁带中引入一个对称性的A1g能级和一个反对称性的A2u能级,二者都是填满的。现有实验观测到的是较高的A1g能级。从理论上指出了对称性的A1g能级反而高于反对称性的能级的原因。而Si中(Se2)+的g因子测量值和(S2)+,(Se2)+的ESR实验结果也支持本文的观点。

English Abstract

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