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硫偏析在钼(111)表面上的有序结构

樊永年

硫偏析在钼(111)表面上的有序结构

樊永年
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-06-02
  • 刊出日期:  2005-07-14

硫偏析在钼(111)表面上的有序结构

  • 1. 中国科学院金属研究所

摘要: 用AES和LEFD在700—800℃温度范围内研究了硫在钼(111)表面上的偏析动力学和表面结构。样品加热到800℃硫迅速地偏析到表面上并逐步地取代了表面上的碳。加热到700℃硫没有明显的表面偏析。硫的偏析主要受它的体扩散速率的控制,表面碳的存在也抑制了硫的表面偏析。不同温度下的偏析动力学实验后,分别进行了低能电子衍射实验,观察到钼(111)(31/2×31/2)R30°-硫和1/3(44-99)-硫两种表面结构的低能

English Abstract

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