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键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响

马洪磊 周玉芳 李敦银

键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响

马洪磊, 周玉芳, 李敦银
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-07-08
  • 刊出日期:  2005-07-14

键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响

  • 1. 山东大学物理系

摘要: 测量了在不同衬底温度下制备的GDa-Si:H膜的光致发光谱和光吸收谱。实验发现键合氢含量的增加导致光致发光峰强度、发光峰能量、发光带半宽度、Stokes位移和热淬灭的增大。由此导出:(1)键合氢不仅能消除无辐射复合中心,而且能产生辐射复合中心;(2)随着键合氢含量的增加电子-声子相互作用增强,带尾宽度缓慢变窄。

English Abstract

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