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As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

江任荣 项颂光 王浩文 徐泽鸿 莫党

As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

江任荣, 项颂光, 王浩文, 徐泽鸿, 莫党
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-08-08
  • 刊出日期:  2005-03-18

As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

  • 1. 中山大学微电子学研究所
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。

English Abstract

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