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非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究

王万录 廖克俊

非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究

王万录, 廖克俊
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-06-02
  • 修回日期:  1987-05-28
  • 刊出日期:  2005-03-18

非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究

  • 1. 兰州大学物理系

摘要: 实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiNx:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiNx:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiNx:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。

English Abstract

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