搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

利用实验I(L)/I(K)比值改进薄膜无标样定量分析

段建中 吴自勤

利用实验I(L)/I(K)比值改进薄膜无标样定量分析

段建中, 吴自勤
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2529
  • PDF下载量:  540
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1985-11-14
  • 刊出日期:  2005-03-20

利用实验I(L)/I(K)比值改进薄膜无标样定量分析

  • 1. 中国科学技术大学基础物理中心

摘要: 利用透射扫描电子显微镜和X射线能谱仪,在入射电压V0为40,80,100,120,160和200kV下,测定了从Ge到Sn八种元素薄膜的标识X射线强度比值I(L)/I(K),并结合Cliff-LorimerkXSi因子和它的内插值,扩充了目前仅有的少数几个L系的Cliff-Lorimer因子。为了确定哪个电离截面Q公式最好,比较了利用九种不同Q公式计算出的I(L)/I(K)和我们的实验值I(L)/I(K)。发现两者之间存在着很大的差别。进一步考虑计算强度公式中各物理参量引起的误差后,我们认为上述差别主要来源于不准确的Q公式,而且和实验值符合最好的Fabredela Ripelle的电离截面也需要进行修正。利用我们修正后的Q公式,在V0为100和200kV下,分析了几种已知成分的样品并和EDAX的分析结果进行了比较。结果表明:在不同电压下,利用不同线系K—K,K—L,我们分析结果的误差有显著的降低。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回