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直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

段沛 高萍 唐基友

直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

段沛, 高萍, 唐基友
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-08-30
  • 刊出日期:  2005-03-18

直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

  • 1. 湖南省分析测试研究所

摘要: 本文用化学腐蚀方法,从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000—6000?间的氧沉淀,制成萃取复型样品,用TEM对氧沉淀作微区电子衍射分析。同时,观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM象,确定了二者的对应关系。结果表明,构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite,silicak)及少量呈六角片的α方英石(α-cristobalite),沉淀片周边沿方向,惯习面前者的为{100},后者的为{111}。样品的红外吸收光谱表明,方片状热液石英沉淀可能与1224cm-1吸收峰相对应。

English Abstract

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