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Al Ⅱ1P10序列能级结构的多通道量子亏损理论分析

杨力 赵伊君 张志杰

Al Ⅱ1P10序列能级结构的多通道量子亏损理论分析

杨力, 赵伊君, 张志杰
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  • 本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al Ⅱ受干扰序列1P10的能级结构。分析表明,主序列3snp 1P10受到了来自双激发态3p4s 1P10的强烈干扰。这种相互作用使3p4s1P10分布到整个3snp1P10之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp1P10中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-03-27
  • 刊出日期:  1988-04-05

Al Ⅱ1P10序列能级结构的多通道量子亏损理论分析

  • 1. 长沙工学院应用物理系

摘要: 本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al Ⅱ受干扰序列1P10的能级结构。分析表明,主序列3snp 1P10受到了来自双激发态3p4s 1P10的强烈干扰。这种相互作用使3p4s1P10分布到整个3snp1P10之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp1P10中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。

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