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用半经验CNDO/INDO方法计算离子晶体中的电子态

刘靖疆 崔笠晶 万良风

用半经验CNDO/INDO方法计算离子晶体中的电子态

刘靖疆, 崔笠晶, 万良风
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-01-12
  • 刊出日期:  2005-07-04

用半经验CNDO/INDO方法计算离子晶体中的电子态

  • 1. (1)南开大学化学系; (2)天津大学物理系

摘要: 本文报道在分子簇(MC)模型的框架内,用半经验CNDO/INDO方法对离子晶体及其点缺陷的电子态进行计算。引用计算分子结构的CNDO/INDO程序加以改造,使之适合于离子晶体及其点缺陷的计算。在此基础上,计算了LiF,NaF,LiCl,NaCl四种晶体的价带宽、禁带宽、有效离子电荷等参数和F色心基态能级的位置。所得结果与以前报道的各种计算和实验结果进行了比较。

English Abstract

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