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四面体键半导体合金LMTO能带的相干势近似计算

王仁智 黄美纯

四面体键半导体合金LMTO能带的相干势近似计算

王仁智, 黄美纯
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-12-07
  • 刊出日期:  2005-07-06

四面体键半导体合金LMTO能带的相干势近似计算

  • 1. 厦门大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文提出一种无须引入可调参数的基于LMTO能带的相干势近似(CPA)计算方法。在LMTO及其虚晶近似计算中,哈密顿矩阵的矩阵元计及原子球的d态,哈密顿矩阵对角化时忽略d带对s,p能带的影响,所得能带本征态便于构成适用于CPA计算的sp杂化正交轨道且能带结构较为合理。以Ga1-xAlxAs为例,论证这一方法在四面体键半导体合金中的应用。计算结果表明,其重要能带及相应带隙的弯曲参数的CPA修正值是合理的。

English Abstract

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